Transistor Mosfet Canal N Irfp460 500V 20A IRFP460

# IRFP460
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El transistor es un MOSFET canal N de potencia utilizado en dispositivos switching.

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:

Disipación total del dispositivo (Pd): 280 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 59 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 870 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm

Encapsulado: TO247